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微米在昨天宣布它優(yōu)化了移動設(shè)備3d NAND內(nèi)存技術(shù)。對于消費(fèi)者來說，這意味著一個(gè)智能手機(jī)或平板電腦將擁有一塊更大的電池，3d NAND數(shù)據(jù)存儲細(xì)胞垂直而不是傳播出來像“平面”的存儲設(shè)備，目前該項(xiàng)技術(shù)僅應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和閃存。

據(jù)微米報(bào)道，其新的3d NAND內(nèi)存模小于30%的典型平面。指標(biāo)測試只有60.217平房毫米，是行業(yè)迄今為止最小的3d NAND芯片。這種技術(shù)也可用于低功耗LPDDR4X內(nèi)存模塊，比LPDDR4X記憶模塊多提供20%的能源效率。

微米這項(xiàng)新技術(shù)，解決了設(shè)備的移動內(nèi)存和存儲需求等問題。為用戶帶來前所未有的全新體驗(yàn)，包括無縫高清視頻流，更高的寬帶游戲，更快地啟動時(shí)間，相機(jī)的性能，和文件加載能力。官方還表示，預(yù)計(jì)要在2016年底將新的3d NAND 技術(shù)普及到大部分用戶。