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根據hkepc報道，三星在Samsung SSD Forum 2018 Tokyo大會中宣布已正式量產 96層的第 5 代 V-NAND閃存顆粒，密度由之前的64層提升到96層，同時首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速度高達1.4Gbps，比上代64 層架構提升了40%。此外，三星表示年內將推出全球首款32TB SSD。

三星還首發高達1Tbit（128GB）的3D TLC閃存顆粒，它支持32顆封裝，單個芯片的容量到了4TB。三星PM1643系列SSD將采用此芯片，該SSD最高容量可達32TB，它采用2.5英寸設計，主要用于數據中心企業市場。據三星透露它的隨機性能比第四代V-NAND 高2.5 倍。

三星除了針對于企業用戶外，還會針對消費者推出QLC SSD，該SSD會采用SATA接口，性能與TLC相差不大，讀寫速度能達到540MB/s，520MB/s，預計下半年會問世。