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DDR5內(nèi)存現(xiàn)在已經(jīng)是青壯年階段，正成為裝機(jī)市場的主力，只不過現(xiàn)在內(nèi)存價(jià)格溢價(jià)極其嚴(yán)重，導(dǎo)致DDR5在消費(fèi)級市場的銷量并不高。不過對于幾大內(nèi)存巨頭來說，DDR5內(nèi)存的帶寬似乎還不夠，下一代DDR6內(nèi)存已經(jīng)進(jìn)入到了研發(fā)階段，根據(jù)最新的消息，三巨頭的DDR6內(nèi)存已經(jīng)完成了初步研發(fā)，即將進(jìn)入到驗(yàn)證階段。

根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的爆料，目前三星、海力士以及美光這三家內(nèi)存巨頭已經(jīng)向各自的基材合作廠商推出了最新的要求，稱需要為巨頭們提供適合DDR6內(nèi)存研發(fā)的基材，這也就是說幾大內(nèi)存廠商完成了早期的設(shè)計(jì)，即將進(jìn)入到初步制造與驗(yàn)證階段，顯然這些基材廠商將會為DDR6內(nèi)存的研發(fā)提供合適的PCB板。

根據(jù)JEDEC提供的關(guān)于DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初稿，預(yù)計(jì)DDR6內(nèi)存將會比DDR5的內(nèi)存頻率提升1倍，理論上可以達(dá)到17.6Gbps，當(dāng)然極高的內(nèi)存速率對于元器件提出了更高的要求，當(dāng)然也包括PCB板，這也是為什么廠商們都需要提前跟基材合作商合作，共同打造DDR6的元器件，此外目前DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)還處于初稿，距離正式確定還有一段時(shí)間，如果內(nèi)存廠商可以盡早制造出相關(guān)內(nèi)存的樣品，那么便可以在之后的標(biāo)準(zhǔn)制定中處于優(yōu)勢。

三大廠商熱衷于DDR6內(nèi)存的研發(fā)，卻對DDR4內(nèi)存愈發(fā)不感興趣，目前DDR4內(nèi)存的市場占有率不到20%，整個行業(yè)也正在討論何時(shí)停產(chǎn)DDR4內(nèi)存。當(dāng)然按照以往的慣例，DDR6內(nèi)存先會在服務(wù)器上使用，時(shí)間大概在2028年，隨后進(jìn)入到消費(fèi)級市場，消費(fèi)級DDR6內(nèi)存商用要到2029年。