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在這次內(nèi)存與存儲漲價大潮中，內(nèi)存方面領(lǐng)漲的產(chǎn)品是高帶寬內(nèi)存（HBM），存儲方面領(lǐng)漲的產(chǎn)品則是NAND閃存。那么NAND閃存能像HBM那樣堆疊起來，提供更大的存儲容量嗎？能的，這項技術(shù)就是閃迪在去年2月發(fā)布的高帶寬閃存（HBF）。

據(jù)韓媒Etnews報道，閃迪已經(jīng)在著手準備生產(chǎn)HBF的材料、組件和設備供應鏈，并搭建生產(chǎn)線。

有業(yè)內(nèi)高層人士表示，閃迪正與相關(guān)企業(yè)接洽合作事宜，計劃于下半年引進主要生產(chǎn)設備，并稱部分企業(yè)已開始商討采購訂單（PO）事宜。預計在同樣今年下半年完成試產(chǎn)線的建設、年底前投入運行并推出原型產(chǎn)品，明年實現(xiàn)量產(chǎn)，而產(chǎn)線的熱門候選地之一是日本。

HBF的核心原理與HBM相似，都是通過堆疊16個3D NAND閃存芯片的方式來實現(xiàn)更大的容量和更強的性能，以此助力AI計算的發(fā)展。得益于總體一致的技術(shù)，HBF有望媲美HBM的帶寬性能。

在HBF技術(shù)路線圖上顯示，初代HBF的系統(tǒng)級性能與“無限容量版”的HBM的差距在2.2%以內(nèi)，讀取帶寬達1.6TB/s。而后續(xù)的2代、3代產(chǎn)品的讀取帶寬將達到2TB/s和3.2TB/s，對應的單疊層容量、能效都有進一步提升。

當下，閃迪、SK海力士、三星等各大存儲生產(chǎn)商陸續(xù)投身HBF研發(fā)，市場正在關(guān)注HBF的性能能否與炙手可熱的HBM相媲美。

由于HBM和HBF的制造工藝沒有顯著差異，所以產(chǎn)線的搭建過程也非常快。業(yè)內(nèi)人士表示，目前在HBM市場占據(jù)領(lǐng)先地位的三星電子和SK海力士，很可能會將整套工藝改造后直接轉(zhuǎn)產(chǎn)HBF。其中，SK海力士是閃迪推進HBF標準化的合作方，而三星則憑著自己的實力選擇了單打獨斗。

對于這個新技術(shù)催生出的產(chǎn)品，韓國科學技術(shù)院（KAIST）的金正浩教授預測，HBF的市場規(guī)模將在2038年超過HBM，前景可觀。