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在全球芯片晶圓代工市場(chǎng)中，三星一直都被臺(tái)積電所壓制。

不過(guò)，近期在洛杉磯舉辦的2026光纖通訊展覽會(huì)上，三星正式宣布將在2028年展開(kāi)硅光子技術(shù)量產(chǎn)，這或許將幫助三星挑戰(zhàn)臺(tái)積電的霸主地位。

硅光子技術(shù)是一種利用光子而非電子傳輸數(shù)據(jù)的技術(shù)，相較于傳統(tǒng)的電子互連以及普通光通信技術(shù)有許多優(yōu)勢(shì)。

比如硅光子傳輸帶寬可以達(dá)到電子傳輸?shù)?000倍以上，光信號(hào)不受電磁干擾，并且延遲也非常低，而且同等傳輸速率下，光子傳輸能耗遠(yuǎn)低于電子。

三星表示，硅光子技術(shù)非常適合在數(shù)據(jù)中心、AI計(jì)算以及高性能計(jì)算領(lǐng)域應(yīng)用。

當(dāng)然，臺(tái)積電其實(shí)相較于三星更早地布局了硅光子技術(shù)。今年年中，臺(tái)積電預(yù)計(jì)推出硅光子技術(shù)平臺(tái)COUPE 2.0，其傳輸速率可達(dá)6.4Tbps，英偉達(dá)與AMD或會(huì)是首批采用的企業(yè)。

不過(guò)，三星的硅光子技術(shù)在技術(shù)上有一定的優(yōu)勢(shì)。比如臺(tái)積電是采用200mm+300mm混合晶圓尺寸，而三星是純300mm平臺(tái)，其量產(chǎn)效率以及成本會(huì)更有優(yōu)勢(shì)。

此外三星在高帶寬內(nèi)存HBM上有明顯的優(yōu)勢(shì)，業(yè)界預(yù)測(cè)三星可將晶圓代工、封裝、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與HBM存儲(chǔ)能力深度融合，提供更全面的解決方案。

目前來(lái)看，三星的硅光子技術(shù)雖然推出的時(shí)間落后臺(tái)積電兩年，但是AI芯片光互聯(lián)市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2028年才會(huì)爆發(fā)，所以三星是有機(jī)會(huì)在新的賽道啃下臺(tái)積電更多市場(chǎng)份額。