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此前我們曾報道蘋果計劃與英特爾達成芯片供應協議，在2027年或2028年，讓英特爾為非Pro版的iPhone以及Mac和iPad產品線提供芯片代工服務，采用英特爾的EMIB封裝。

而根據最新的爆料，英特爾又迎來一個大客戶，那就是聯發科。

爆料稱聯發科將會采用英特爾14A打造天璣系列SoC，不過外媒似乎有些擔心英特爾14A先進制程的良率與功耗控制能否如期達標。

據了解，英特爾14A直接對標臺積電14A工藝，屬于1.4nm級別。英特爾14A工藝采用了第二代RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerDirect背面供電技術，相較于18A性能提升15%—20%，功耗可以降低25%—35%。

不過雖然PowerDirect背面供電技術讓芯片能夠提升晶體管密度，同時還可以帶來更高、更穩定的頻率，但是也有一個副作用，那就是會讓芯片產生比較嚴重的自熱效應。

如果這項技術是用于桌面處理器上，那么無可厚非。畢竟用戶有各種主動散熱方案可以解決發熱的問題。但如果這項技術是用于手機SoC，那么手機有限的散熱空間或將難以承載其發熱負荷。

據了解，高通下一代旗艦芯片為了緩解散熱問題，已經確定采用三星HPB散熱技術。或許聯發科也能夠采用類似的技術來緩解芯片發熱問題。

聯發科雖然一直與臺積電保持良好的合作關系，但臺積電產能長期被英偉達、蘋果等客戶占據，而臺積電產能越來越吃緊，聯發科選擇與英特爾合作，一定程度上可以緩解產能焦慮。

此外還有消息稱英特爾EMIB封裝成本較臺積電CoWoS低30%—40%，也非常適合聯發科芯片產品的市場定位。