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移動(dòng)設(shè)備的存儲(chǔ)性能和容量大小已經(jīng)越發(fā)受到消費(fèi)者的重視，這也導(dǎo)致了旗艦級(jí)移動(dòng)智能設(shè)備的產(chǎn)能一定程度上受到了高端存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能的限制。近日，西部數(shù)據(jù)公司旗下的存儲(chǔ)品牌閃迪（SanDisk），推出了新一代iNAND閃存芯片產(chǎn)品，已公布的兩款均采用了閃迪的64層3D堆疊技術(shù)，按照高性能和高性價(jià)比的定位，分別支持UFS和eMMC兩種標(biāo)準(zhǔn)。

走高性價(jià)比路線的iNAND 7550則支持的是eMMC 5.1標(biāo)準(zhǔn)，容量也是256GB，宣稱連續(xù)寫入260MB/s，隨機(jī)讀取20K、隨機(jī)寫入15K。

走高性能路線的iNAND 8521容量為256GB，支持UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)，采用了第五代智能SLC緩存技術(shù)，宣稱連續(xù)寫入速度相比時(shí)下市場上iNAND系列的主流產(chǎn)品iNAND 7232（eMMC 5.1標(biāo)準(zhǔn)）提升了1倍，達(dá)到600MB/s，隨機(jī)讀取提升則更大。

相信西數(shù)閃迪的介入，能為高端閃存芯片市場帶來些新的活力和競爭，移動(dòng)智能終端產(chǎn)品受到的供應(yīng)鏈壓力能有所減緩，存儲(chǔ)容量也能在接下來的5G時(shí)代得到進(jìn)一步提升。