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近些年來(lái)，每個(gè)人在生活中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量都有著巨大的增加，尤其是邁入5G高速網(wǎng)絡(luò)時(shí)代后，在隨身手機(jī)上就能輕松獲得近千兆的網(wǎng)絡(luò)帶寬，當(dāng)然，單純描述這個(gè)數(shù)據(jù)變化可能比較抽象，但目前的在線視頻網(wǎng)站，從當(dāng)初的在線720P視頻一路進(jìn)化至現(xiàn)在的4K在線播放，其實(shí)就是數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的一角。

而據(jù)IDC 預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)將從2018 年的33ZB增加至2025年的175ZB，這指數(shù)級(jí)的數(shù)據(jù)增長(zhǎng)帶來(lái)巨大的存儲(chǔ)壓力的同時(shí)，也將帶來(lái)獨(dú)特的用戶體驗(yàn)和全新的商業(yè)機(jī)會(huì)，而希捷作為世界首屈一指的存儲(chǔ)廠商，正在這場(chǎng)數(shù)據(jù)浪潮的最前端，經(jīng)歷著這場(chǎng)變革。（1ZB=1024 *1024P*1024 TB）

在大數(shù)據(jù)浪潮下，提高單位存儲(chǔ)存儲(chǔ)容量是首要任務(wù)，希捷就推出了HAMR熱輔助技術(shù)，通過(guò)激光加熱磁存儲(chǔ)介質(zhì)從而使記錄磁頭每次翻轉(zhuǎn)單個(gè)位的磁極性，進(jìn)而達(dá)到寫入數(shù)據(jù)的目的，由于磁盤迅速受熱時(shí)，介質(zhì)更加易于寫入數(shù)據(jù)，因此采用這項(xiàng)技術(shù)后，硬盤的存儲(chǔ)密度能著顯著提升。

借助HAMR熱輔助技術(shù)后，目前希捷市售的單盤最高容量的硬盤Exos X18銀河系列企業(yè)硬盤已經(jīng)達(dá)到18TB，但這18TB容量并不是盡頭，希捷將在今年年底繼續(xù)推出采用 HAMR技術(shù)的產(chǎn)品，將存儲(chǔ)密度進(jìn)一步提高達(dá)到20TB。

由于單盤容量的存儲(chǔ)密度的增加，在機(jī)架數(shù)量相同的情況下，希捷單盤20TB的大容量使得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力得到大幅提升，并進(jìn)一步降低總體擁有成本，這對(duì)于大型數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。

而在性能方面，隨著由于硬盤存儲(chǔ)面密度的提升，磁頭在相同時(shí)間內(nèi)單次讀取的數(shù)據(jù)量也相應(yīng)更高，想要做到在大存儲(chǔ)容量下快速尋址正確位置，需要更長(zhǎng)的時(shí)間和更為精準(zhǔn)的尋址方式，因此為了提升大容量硬盤的運(yùn)行效率，希捷引入了MACH.2多磁臂技術(shù)，利用多條磁臂來(lái)提高硬盤的IOPS性能，而順序讀寫的性能也相應(yīng)提高。

在會(huì)上，希捷也透露，在采用HMR熱輔助技術(shù)后，未來(lái)的企業(yè)硬盤的方向?qū)⒏鶕?jù)需求分成兩大塊，一方面是在更大容量基礎(chǔ)下，利用MACH.2多磁臂技術(shù)，滿足更高速率的需求，并且隨著容量增加，速度也會(huì)相應(yīng)增加，滿足高存儲(chǔ)用戶對(duì)容量的需求。而另一個(gè)方向是繼續(xù)保持單磁臂，為非性能敏感型應(yīng)用，提高存儲(chǔ)容量。  

邊緣智能化是繼云計(jì)算之后的IT4.0，物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算、人工智能將開啟一個(gè)新的存儲(chǔ)時(shí)代，希捷量身定制了一系列高密度存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中就包括希捷Exos E 4U106數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。其采用模塊化設(shè)計(jì)，可根據(jù)需求來(lái)進(jìn)行增加容量，這種靈活的設(shè)計(jì)，能夠滿足新興的IT 4.0和Edge市場(chǎng)、以及云和傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心客戶多樣化的需求。

據(jù)先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)聯(lián)盟 (ASTC) 稱，HAMR將成為下一個(gè)重要的存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新，以增加磁盤的存儲(chǔ)密度，而5G時(shí)代的到來(lái)也進(jìn)一步加快了數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的步伐，這兩者相互碰撞，將推動(dòng)整個(gè)數(shù)據(jù)企業(yè)的發(fā)展。