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臺積電首次公開3nm制程:基于FinFET工藝,2021年試產(chǎn)

臺積電首次公開3nm制程:基于FinFET工藝,2021年試產(chǎn)

白貓 / 2020-04-17 09:3133601

雖然疫情已經(jīng)在全球肆虐,同時幾乎所有的行業(yè)受到了牽連,但是在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,臺積電的營收和利潤卻是節(jié)節(jié)攀升。而在最新發(fā)布的臺積電財報中,臺積電也首次公布了3nm制程工藝的詳情,稱臺積電計劃在2021年開始試產(chǎn)3nm工藝,同時希望能夠在2022年正式量產(chǎn)3nm制程。

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臺積電已經(jīng)宣布原定于4月29日舉辦的技術(shù)論壇上公布3nm制程工藝的詳情,然而受疫情影響,本次技術(shù)會議將會被延期至8月份,因此臺積電才選擇在第一季度的財報上公布3nm制程的部分消息。臺積電表示目前3nm制程工藝的進展比較順利,同時臺積電希望能夠在2021年實施3nm制程的風(fēng)險試產(chǎn),而在2022年下半年正式量產(chǎn)全新的3nm制程工藝。

而在材料選擇上,臺積電認為目前的FinFET技術(shù)可以使用在3nm制程工藝上,因此仍然將采用這個成熟的工藝,而作為臺積電在晶圓代工領(lǐng)域最大的對手,三星也將寶押在了3nm制程上,將直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管,據(jù)三星的說法,和目前的7nm制程工藝相比,全新的3nm工藝性能能夠提升30%,而功耗則降低50%。當然即使到現(xiàn)在大家還尚不清楚究竟什么時候才是半導(dǎo)體工藝的極限,有人稱3nm或許就是在目前科技下半導(dǎo)體的極限。


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