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仿佛昨天才過(guò)去不久，DDR4替代DDR3那一年的記憶還未模糊，DDR5內(nèi)存就已經(jīng)要來(lái)了。

在舊金山舉辦的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，SK海力士發(fā)布了自家首顆DDR5-6400內(nèi)存芯片。SK海力士的DDR5內(nèi)存芯片基于1y nm制程工藝生產(chǎn)，面積為76.22mm2，針腳速度6.4Gb/s，電壓1.1V，單片容量16Gb（2GB）。

事實(shí)上，目前DDR5的正式標(biāo)準(zhǔn)尚未敲定。目前普遍認(rèn)為DDR5相較DDR4除了更高的頻率和更低的功耗外，還將具備兩倍于DDR4的內(nèi)存帶寬，更大的容量密度，以及更高的總線效率。

目前除了SK海力士，美光和三星都有自己的方案，在JEDEC的DDR5正式標(biāo)準(zhǔn)敲定之后，成品的內(nèi)存條也將面世，這一時(shí)間節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)最快也要到今年年底了。