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盡管三星電子和臺(tái)積電正在努力提高3nm工藝制程的良率，但目前來看可能良品率的問題仍未徹底解決，而這不僅可能會(huì)造成性能問題的風(fēng)險(xiǎn)，讓消費(fèi)者被迫承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)支付更高價(jià)格，或許也會(huì)影響到未來的訂單競爭。

雖然目前三星已經(jīng)向中國交付了一批3nm GAA（環(huán)繞式柵極工藝）芯片，但新的報(bào)道顯示這些芯片的真實(shí)形式并不完整，缺乏邏輯芯片中的SRAM，雖然3nm GAA優(yōu)于FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管），但也更難生產(chǎn)，目前良率只有約50%。有業(yè)內(nèi)人士透露，“要贏得高通等大客戶明年的3nm移動(dòng)芯片訂單，良品率至少需要提高70%以上。”

生產(chǎn)3nm芯片的三星韓國華城工廠

事實(shí)上如果產(chǎn)量良率及產(chǎn)量不能提升，而高通又不得不被迫支付所有晶圓的費(fèi)用，那么高通驍龍芯片的價(jià)格必然存在水漲船高的風(fēng)險(xiǎn)，這就會(huì)導(dǎo)致其智能手機(jī)合作伙伴和消費(fèi)者承擔(dān)后續(xù)的一系列結(jié)果，反過來促使高通轉(zhuǎn)而選擇臺(tái)積電，這就形成了一個(gè)惡性循環(huán)。

臺(tái)積電這邊的情況也不容樂觀，作為目前為數(shù)不多擁有3nm工藝制程芯片量產(chǎn)記錄的公司，臺(tái)積電3nm工藝制程芯片同樣存在良率未能達(dá)標(biāo)的問題，有業(yè)內(nèi)人士表示，臺(tái)積電3nm工藝制程芯片采用了與上一代相同的FinFET結(jié)構(gòu)，這可能是其“未能控制”過熱問題的原因，臺(tái)積電計(jì)劃在明年量產(chǎn)N3E、N3P、N3X、N3AE等提高良品率降低成本。

除此之外，還有半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露，三星、臺(tái)積電和英特爾也都在積極準(zhǔn)備發(fā)展2nm工藝，但與3nm相比，其性能和效率提升并不明顯，因此3nm工藝芯片的需求或許還將繼續(xù)持續(xù)，想要跳過3nm可能性不高。