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日前，美國NEO半導(dǎo)體公司宣布了全球首款3D內(nèi)存，可解決內(nèi)存容量瓶頸，追上SSD。相關(guān)專利申請已于2023年4月6日在美國專利申請公告中公布。

NEO是一家存儲芯片技術(shù)公司，這次推出的3DX-DRAM號稱全球首款類3D NAND的內(nèi)存技術(shù)，將內(nèi)存帶入3D時代。其技術(shù)思路跟3D NAND閃存類似，通過堆棧層數(shù)來提高內(nèi)存容量，類似閃存芯片中的FBC浮柵極技術(shù)，但增加一層Mask就可以形成垂直結(jié)構(gòu)，因此良率高、成本低、密度大幅提升。

根據(jù)Neo的估計，3DX-DRAM技術(shù)可以通過230層實現(xiàn)128GB的容量，相較于當(dāng)前16GB的2D DRAM內(nèi)存實現(xiàn)8倍容量的提升，并且計劃每十年將3DX-DRAM的容量提升8倍，到2035年達到1TB的核心容量，實現(xiàn)總計64倍的容量提升。不過，由于NEO公司并沒有自己的晶圓廠，因此目前尋找授權(quán)廠商，如三星、SK海力士、美光、西數(shù)、鎧俠等，以便將3DX-DRAM投入生產(chǎn)。