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從2012年到現(xiàn)在，DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)確立了6年。如今，DDR4內(nèi)存已經(jīng)普及，而下一代的DDR5內(nèi)存也已經(jīng)看到了一絲曙光。

日前，Cadence宣布了DDR5的最新進(jìn)展：面向JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織正在研究的下一代DDR5內(nèi)存規(guī)范的最新版本，他們拿出了第一個(gè)DDR5 IP物理層接口芯片。該芯片采用臺(tái)積電7nm工藝制造，頻率高達(dá)4400MHz，比目前商用最快的DDR4-3200快了多達(dá)37.5％。

此前儲(chǔ)存巨頭美光公布了自家DDR5內(nèi)存方案的詳細(xì)規(guī)格： DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB，I/O帶寬能達(dá)到3.2-6.4Gbps，同時(shí)電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。

目前，市場(chǎng)普遍認(rèn)為DDR5內(nèi)存最早將于2020年投入商用。值得注意的是，AMD承諾其AM4接口將一直用到2020年，或許其新接口將會(huì)與DDR5內(nèi)存一同推出。