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英特爾的制程工藝這幾年似乎落后于友商不少，目前臺(tái)積電、三星的制程工藝來到了3nm，而英特爾的制程工藝則是Intel 4也就是7nm，可以說從制程上來說，英特爾似乎落后友商不少。不過英特爾最近了放了衛(wèi)星，稱過去是過去，未來英特爾的制程將會(huì)大幅領(lǐng)先于友商，甚至有兩年之久。

英特爾CEO基辛格在接受采訪時(shí)表示，英特爾的18A工藝十分地先進(jìn)，即使是友商也沒有辦法能夠跟自家的產(chǎn)品相提并論，其中一個(gè)重要的原因就是英特爾使用了RibbonFET架構(gòu)，這個(gè)技術(shù)目前友商還沒有使用，從而讓英特爾的18A以及20A能夠比臺(tái)積電的2nm工藝更加先進(jìn)，甚至在一定程度上，臺(tái)積電的制程工藝需要等到2年以后才能追上自己，其中一個(gè)原因就是臺(tái)積電目前還是使用FinFET工藝，只有到2nm以后才會(huì)使用GAA工藝。

當(dāng)然對(duì)此臺(tái)積電是嗤之以鼻，臺(tái)積電CEO表示，通過企業(yè)內(nèi)部的評(píng)估，臺(tái)積電的N3P工藝就可以跟英特爾不相上下，并且N3P采用的是成熟技術(shù)，在制造成本上遠(yuǎn)勝于英特爾的18A工藝當(dāng)然等到2025年量產(chǎn)2nm之后，臺(tái)積電的2nm工藝仍然是行業(yè)最為先進(jìn)的工藝。

總之這個(gè)口水戰(zhàn)是少不了了，不過現(xiàn)在能夠搞定最先進(jìn)制程工藝的廠商也沒有幾家，無論怎樣打口水戰(zhàn)，芯片設(shè)計(jì)廠商還是要讓他們?nèi)ゴぃ鴮?duì)于英特爾來說，IDM 2.0的戰(zhàn)略讓獨(dú)立代工的晶圓業(yè)務(wù)需要更多的客戶，因此放衛(wèi)星也是在情理之中，好消息就是下一代的Arrow Lake處理器將會(huì)采用Intel 20A工藝，屆時(shí)消費(fèi)者就能享受英特爾口中的遙遙領(lǐng)先的制程工藝了。