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不給機(jī)械盤留活路?三星提出閃存新標(biāo)準(zhǔn):體積更小容量更大

不給機(jī)械盤留活路?三星提出閃存新標(biāo)準(zhǔn):體積更小容量更大

肖逸文 / 2017-08-09 18:46512696

正在美國(guó)舊金山舉辦的2017閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit 2017)上,三星推出了新一代V-NAND閃存顆粒,容量大幅提升,達(dá)到1Tb(1Terabit)。此外,三星還一同提出了NGSFF(Next Generation Small Form Factor)標(biāo)準(zhǔn),取代M.2固態(tài)硬盤規(guī)格。

三星新一代V-NAND(垂直堆疊3D NAND)將此前最大的存儲(chǔ)單晶粒512Gb容量直接翻倍,提升到1Tb,而且將用于消費(fèi)級(jí)的產(chǎn)品,三星將要推出的2TB SSD產(chǎn)品會(huì)用上最新的V-NAND,用一顆芯片封裝16個(gè)1Tb的Die,使得整個(gè)SSD產(chǎn)品的體積進(jìn)一步縮小。

也正因?yàn)檫@個(gè)原因,新的產(chǎn)品大小將比傳統(tǒng)M.2接口SSD中最小的2242(NGFF)的電路板設(shè)計(jì)更小,故而三星也提出新的NGSFF(Next Generation Small Form Factor)標(biāo)準(zhǔn)以適應(yīng)需要。



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