鎧俠發(fā)布目前最薄UFS 3.1閃存芯片 封裝厚度僅有1.1mm

鎧俠發(fā)布目前最薄UFS 3.1閃存芯片封裝厚度僅有1.1mm

Salunce / 2021-03-04 11:2140229

近日，鎧俠發(fā)布了一款全球最薄的1TB UFS 3.1閃存芯片，這款閃存芯片的封裝厚度只有1.1mm，可實(shí)現(xiàn)2050 MB/s的順序讀取速度以及1200 MB/s的順序?qū)懭胨俣取ｉW存顆粒為BiCS FLASH?3D NAND，并且支持WriteBooster和HPB技術(shù)，WriteBooster可有效提高這款閃存芯片的寫(xiě)入速度，而在引入HPB技術(shù)后也提高了它的隨機(jī)讀取性能。

HPB技術(shù)全稱(chēng)Host Performance Booster，它能解決手機(jī)在使用過(guò)程中逐步變卡的問(wèn)題，長(zhǎng)時(shí)間使用手機(jī)后運(yùn)行變慢卡頓的原因之一就是由于文件系統(tǒng)碎片化和存儲(chǔ)器隨機(jī)讀性能下降所導(dǎo)致。由于存儲(chǔ)器的緩存能力有限，頻繁重載L2P Map表就會(huì)造成性能開(kāi)銷(xiāo)過(guò)大。而HPB技術(shù)可利用手機(jī)的內(nèi)存來(lái)緩存L2P Map表，從而提升了長(zhǎng)時(shí)間隨機(jī)讀取能力的表現(xiàn)。

雖然目前使用鎧俠UFS 3.1閃存的手機(jī)還是相對(duì)較為少見(jiàn)，比較知名的手機(jī)有全球首發(fā)高通驍龍870的motorola edge s和三星Galaxy Note 20，不過(guò)這款全新推出的閃存芯片應(yīng)該會(huì)有不錯(cuò)的競(jìng)爭(zhēng)力，較薄的封裝設(shè)計(jì)也能進(jìn)一步減小手機(jī)的厚度，預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)有更多的智能手機(jī)會(huì)用上這款閃存芯片。