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浦科特在近期推出了全新的M8V Plus系列固態(tài)硬盤，屬于之前的M8V系列的升級(jí)款，其主要升級(jí)點(diǎn)就在于搭載了DRAM緩存，這使得硬盤在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后，還能保持高速運(yùn)行，這也讓我非常期待DRAM緩存在浦科特SATA固態(tài)硬盤上會(huì)有怎樣的表現(xiàn)，廢話不多說(shuō)，接下來(lái)就來(lái)測(cè)一測(cè)浦科特M8V Plus固態(tài)硬盤的性能。

外部包裝

新款M8V Plus系列固態(tài)硬盤外包裝依然是熟悉的全紅包裝，除了M8V Plus系列的傳統(tǒng)SATA接口形態(tài)產(chǎn)品外，M8V Plus系列中還有型號(hào)為M8VG Plus的M.2接口產(chǎn)品可選，這兩種產(chǎn)品硬件規(guī)格和性能上一致，僅接口上不同，適用不同電腦。

拆開包裝，SATA版M8V Plus是標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸規(guī)格，外殼為鋁制全紅外殼，再加上白色LOG，在光線下的質(zhì)感不錯(cuò)，而M.2版就是常規(guī)樣式了，綠色PCB+白色貼紙，并且是單面顆粒，對(duì)于筆記本這種空間狹窄的設(shè)備比較友好。

硬盤拆解

接下來(lái)，對(duì)硬盤進(jìn)行拆解，當(dāng)然自行拆解硬盤會(huì)失去保修，并不推薦個(gè)人這么操作。

拆開后，可以看到M8V Plus SATA接口硬盤的PCB版只占據(jù)了一小部分，顆粒與主控采用雙面布局，其中主控與緩存顆粒位于一面，主控為慧榮SM2258H與M.2版本一致，采用40NM制程，支持外置緩存，NANDXtend技術(shù)。

外殼內(nèi)側(cè)貼有黑色塊為絕緣紙，并不用作散熱。

額外DRAM緩存顆粒為DDR3-1866MHz的NT5CC256M16ER-EK 容量512MB，而M.2版型號(hào)批次不同，但容量一致。

硬盤存儲(chǔ)顆粒都為TH58LJT1T24BADE，未查到詳細(xì)信息，但能確定為鎧俠（原東芝）3D TLC顆粒，浦科特官方宣傳為東芝96層3D TLC顆粒，相比之前4顆粒才能做512GB，存儲(chǔ)顆粒數(shù)量直接縮減一半，容量密度提升還是非常明顯的。

性能測(cè)試

先用AS SSD Benchmark、CrystalDiskMark、ATTO磁盤基準(zhǔn)測(cè)試這三個(gè)我們非常常見的測(cè)速軟件做個(gè)簡(jiǎn)單測(cè)試。

在CrystalDiskMark中，順序讀寫速度分別達(dá)到563MB/s、528MB/s，基本等于官方宣傳的速度，其中決定固態(tài)硬盤日常使用體驗(yàn)的4K隨機(jī)讀取速度分別達(dá)到36MB/s，102MB/s。如果以高速NVME固態(tài)硬盤的眼光來(lái)看，這個(gè)4K隨機(jī)讀寫性能就很一般了，但作為最高600MB/s速率的SATA硬盤來(lái)說(shuō)，這個(gè)4K單線程寫入速度非常高了，而在AS SSD Benchmark中，也給出1193的得分。

這里我也是實(shí)際準(zhǔn)備了一個(gè)容量22GB的單個(gè)壓縮包文件，對(duì)應(yīng)硬盤的實(shí)際拷貝性能進(jìn)行測(cè)試，22GB測(cè)試數(shù)據(jù)放在另外一塊NVME 固態(tài)硬盤內(nèi)，不會(huì)給浦科特M8V Plus造成瓶頸。經(jīng)過(guò)測(cè)試，在給浦科特M8V Plus寫入的情況下，這22GB數(shù)據(jù)用時(shí)81秒完成，平均速度在298MB/s，而從浦科特M8V Plus寫入到NVME固體硬盤中時(shí)，用時(shí)44秒完成拷貝，平均速度537MB/s。

之所以會(huì)出現(xiàn)寫入速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于寫入速度，是因?yàn)镾LC緩存機(jī)制，當(dāng)緩存用完了，就只能以更低的真實(shí)寫入速度進(jìn)行寫入，寫入速度肯定低于之前AS SSD Benchmark、CrystalDiskMark測(cè)試出的數(shù)據(jù)。

這里我們?cè)诳毡P的情況下使用HD Tune Pro對(duì)硬盤的SLC緩存進(jìn)行測(cè)試，通過(guò)測(cè)試，500GB容量的浦科特M8V Plus硬盤擁有接近4.5GB左右的SLC緩存，緩存內(nèi)寫入速度為穩(wěn)定的500MB/s，緩存外寫入速度290MB/s，作為SATA盤來(lái)說(shuō)，這個(gè)成績(jī)還是非常不錯(cuò)，緩?fù)鈱懭胨俣确浅７€(wěn)定，沒有出現(xiàn)大幅波動(dòng)的問題，應(yīng)該是采用閑時(shí)垃圾回收機(jī)制，保證硬盤在使用時(shí)能穩(wěn)定運(yùn)行。

接著對(duì)硬盤填充數(shù)據(jù)，填充至僅剩余20GB，簡(jiǎn)單模擬硬盤長(zhǎng)時(shí)間使用，容量不足的情況，等待硬盤充分完成垃圾回收后再次使用HD Tune Pro對(duì)硬盤的SLC緩存進(jìn)行測(cè)試。

同樣是寫入10GB隨機(jī)數(shù)據(jù)，在僅剩20GB空間的情況下，SLC緩存僅下降了不到1GB，而緩?fù)馑俣纫廊环€(wěn)穩(wěn)保持在290MB/s的位置，其表現(xiàn)可以說(shuō)非常不錯(cuò)了，基本與空盤狀態(tài)下沒有區(qū)別，由此看來(lái)，SLC緩存+額外DRAM緩存的配置確實(shí)能保證硬盤在低剩余容量的時(shí)候，也能保持與空盤狀態(tài)下相似的高速穩(wěn)定讀寫。

在填充數(shù)據(jù)時(shí)，順帶查看了硬盤的溫度，在連續(xù)寫入超400GB游戲文件后，CrystalDiskInfo讀取到的硬盤溫度最高也僅有55度，用手觸摸外殼也只是溫?zé)幔F(xiàn)階段的SATA硬盤和NVME硬盤相比，低運(yùn)行溫度是最主要的優(yōu)勢(shì)。

另外，使用CrystalDiskInfo可以看到這款硬盤對(duì)NAND寫入總量718GB，對(duì)比580GB的主機(jī)寫入總量，寫入放大系數(shù)為1.23，僅增加了23%，這也是因?yàn)檩^小的模擬SLC緩存和額外DRAM緩存在發(fā)揮作用，長(zhǎng)時(shí)間寫入不會(huì)給硬盤存儲(chǔ)顆粒造成過(guò)大的壓力，影響壽命。

作為SATA固態(tài)硬盤，極限速度不會(huì)像NVME固態(tài)硬盤一樣，擁有6000+這種極其刺激眼球的數(shù)據(jù)，其后續(xù)更新也更多是在穩(wěn)定性與壽命上做優(yōu)化。而浦科特這一代M8V Plus系列固態(tài)硬盤在保證基礎(chǔ)速度的情況下，額外增加了DRAM緩存，讓硬盤能夠在長(zhǎng)時(shí)間使用后也能持續(xù)保持全速運(yùn)行，而DRAM緩存的引入，也降低了模擬SLC緩存的使用率，降低顆粒整體壽命磨損，以保證M8V Plus在長(zhǎng)時(shí)間使用后還能擁有如同全新空盤的使用體驗(yàn)。