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目前，采用臺(tái)積電7nm工藝的芯片已然占據(jù)了主流市場地位，甚至升級(jí)的7nm+ EUV也已經(jīng)鎖定了華為這一大客戶。而另一大先進(jìn)制程代工方三星相較之下則是一步落后步步落后，在10nm、7nn、5nm三個(gè)節(jié)點(diǎn)都落后于對(duì)手，以至于訂單枯萎。

不過三星也有自己的翻盤計(jì)劃。在現(xiàn)階段包括EUV等技術(shù)的推動(dòng)下，硅晶體管集成電路的制程物理極限已經(jīng)被推進(jìn)至3nm，三星也是將注壓在了這一重要節(jié)點(diǎn)上。在上周于日本舉行的三星晶圓代工論壇上，三星宣城3nm制程工藝明年就能完成開發(fā)，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。要知道三星從去年開始就在給自家的3nm吹風(fēng)，上一回的口徑還是2020年量產(chǎn)。

三星3nm與目前工藝最大的不同點(diǎn)在于晶體管。新制程的晶體管將是第一代GAA晶體管，相較目前的FinFET晶體管，三星稱前者性能有著顯著的增強(qiáng)。

三星3nm GAA工藝相較目前的7nm，能夠降低45%的芯片面積，降低50%功耗的同事性能提升35%。而不出意外的話，2021年臺(tái)積電的3nm制程也將上線，屆時(shí)競爭會(huì)更激烈。更重要的是，目前日韓在半導(dǎo)體原材料上的爭端不知是否會(huì)影響到三星的進(jìn)度。