5G還沒來,西部數(shù)據(jù)已經(jīng)為5G手機準備好了全新的嵌入式閃存盤
徐偉杰 / 2018-10-09 17:12836545
如今,5G時代已經(jīng)不再是水中月、鏡中花,作為消費者的我們已經(jīng)做好了迎接5G時代到來的心理準備。不過,對于手機廠商們來說,5G時代要解決難題不只是傳輸數(shù)據(jù)的通訊基帶,還有存儲數(shù)據(jù)的內(nèi)置閃存。
就在今天,西部數(shù)據(jù)公司正式推出了96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤——Western Digital iNAND MC EU321。這一iNAND系列產(chǎn)品的新成員可提供高達550MB/s的連續(xù)寫入性能,足以在AI、AR、高分辨率多攝、8K視頻等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)出色的移動體驗。
iNAND MC EU321嵌入式閃存盤采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術(shù)、先進的UFS 2.1接口技術(shù)及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)。
先進的架構(gòu)使得它能夠在使用容量接近98%時仍可保持巔峰的寫入性能,而不像同類競品在容量利用率接近80-90%時出現(xiàn)大幅度的性能下降。
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(由左至右: 西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部副總裁-朱海翔先生,
西部數(shù)據(jù)公司嵌入式及集成解決方案(EIS) 產(chǎn)品市場總監(jiān)-包繼紅女士,
西部數(shù)據(jù)公司高級副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理-Steven Craig先生)
在未來的5G時代,手機將成為人們應(yīng)用AI、AR、VR、高分辨率多攝、8K視頻等技術(shù)的承載核心終端,因此其數(shù)據(jù)吞吐量將會有著爆發(fā)式增長。作為西部數(shù)據(jù)首款96層移動EFD的iNAND MC EU321,目前已經(jīng)就容量高達256GB 的存儲解決方案在OEM中開展測試。相信西部數(shù)據(jù)將會在即將到來的5G時代中,為移動數(shù)據(jù)的蓬勃發(fā)展提供有力的硬件支持。















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