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今天，多家科技媒體報道，微星已經(jīng)率先在AMD平臺上完成了對長鑫存儲顆粒的調(diào)校，突破了長鑫顆粒此前DDR5的頻率上限，從6800MT/s?提升到8000~8200MT/s，成為了首家在AMD平臺突破這個上限的主板廠商。

為什么長鑫存儲顆粒會有這個問題？因為長鑫的存儲顆粒相比于三星、SK海力士、美光這3個老鐵來說太新了，AMD主板內(nèi)的固件沒有對應(yīng)的配置文件，導(dǎo)致頻率超過6800就會死機(jī)。

微星通過最新的AGESA微代碼進(jìn)行專項調(diào)校優(yōu)化，讓雙內(nèi)存槽主板搭配采用長鑫16Gbit顆粒的內(nèi)存，在8000MT/s的頻率可以穩(wěn)定運行。而搭配24Gbit顆粒的內(nèi)存，還可以進(jìn)一步上沖到8200MT/s，這就打破了之前的性能限制，讓玩家們可以更放心地用起國產(chǎn)內(nèi)存。

目前首批適配機(jī)型的玩家版BIOS已開放下載，后續(xù)會由微星工程師直接負(fù)責(zé)玩家社區(qū)的發(fā)布與迭代。

另外，關(guān)于長鑫的好消息還有一則。《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報道稱，長鑫正在秘密建設(shè)一條鍵合DRAM的研發(fā)生產(chǎn)線，這是在沒有EUV的情況下，僅靠DUV和多重曝光就能生產(chǎn)超高密度DRAM的方法。

傳統(tǒng)DRAM的做法是把存儲陣列和電路做在同一片晶圓上，而鍵合DRAM則是一片晶圓做超高密度的存儲陣列，另一片做邏輯電路，最后再把兩片晶圓鍵合（即貼合）在一起，這樣能在不增加芯片面積的情況下，減少了連線距離、提升傳輸速度，并且降低了功耗。韓媒表示，長鑫在這個技術(shù)下的進(jìn)度可能已經(jīng)快過韓國了。

韓媒表示，在中國奮起直追下，現(xiàn)在中韓在存儲領(lǐng)域的差距已經(jīng)從5年縮小到3年，如果不是EUV被卡脖子，差距可能會更小。現(xiàn)在長鑫也在沖刺HBM技術(shù)及其下一代架構(gòu)，要是被彎道超車，對韓國會有不小的沖擊。