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半導體領(lǐng)域已經(jīng)發(fā)展到了一個瓶頸期，似乎這幾年制程進步十分地緩慢，此時就需要廠商去挑選全新的晶體管材料，來應(yīng)對未來的晶體管發(fā)展。目前英特爾就向行業(yè)展示了多款晶體管材料，可以讓漏電率降低到目前的千分之一，為今后的工藝進步提供材料上的支持。

據(jù)悉英特爾這一次展示的三種材料分別為鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、氧化鈦(TiO)以及鈦酸鍶(STO)，主要用于晶體管中的金屬中間層，英特爾表示這種材料最大的作用就是能夠讓晶體管在持續(xù)不斷地減少體積的同時還能保持相對穩(wěn)定的供電。

根據(jù)英特爾提供的參數(shù)，這種新材料能夠讓晶體管的平面電容值提高到每平方微米60-98飛法拉，并且漏電率為目前材料的千分之一，能夠有效地減少由于漏電導致的性能下降的情況。除了晶體管新材料之外，英特爾也在本次大會上展示了全新的GaN芯粒技術(shù)，用于取代硅的二維材料以及相關(guān)的工藝，此外還與其他的大學共同研究如何利用全新的技術(shù)來有效地降低數(shù)據(jù)中心的功耗以及提升AI算力需求。

當然這些前沿技術(shù)還處于早期的研究階段，甚至還僅僅停留在提出想法的階段，未來還需要各個學科不斷地進步才能將這些尖端技術(shù)落地，預計還得要3-5年，對于消費者來說，目前的半導體材料逐漸進入到了瓶頸期，肯定是希望科學家能夠盡早突破瓶頸，從而為大家?guī)硇阅芨訌妱诺慕K端產(chǎn)品。