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英特爾的制程工藝這幾年似乎落后于友商不少，目前臺積電、三星的制程工藝來到了3nm，而英特爾的制程工藝則是Intel 4也就是7nm，可以說從制程上來說，英特爾似乎落后友商不少。不過英特爾最近了放了衛(wèi)星，稱過去是過去，未來英特爾的制程將會大幅領先于友商，甚至有兩年之久。

英特爾CEO基辛格在接受采訪時表示，英特爾的18A工藝十分地先進，即使是友商也沒有辦法能夠跟自家的產(chǎn)品相提并論，其中一個重要的原因就是英特爾使用了RibbonFET架構，這個技術目前友商還沒有使用，從而讓英特爾的18A以及20A能夠比臺積電的2nm工藝更加先進，甚至在一定程度上，臺積電的制程工藝需要等到2年以后才能追上自己，其中一個原因就是臺積電目前還是使用FinFET工藝，只有到2nm以后才會使用GAA工藝。

當然對此臺積電是嗤之以鼻，臺積電CEO表示，通過企業(yè)內(nèi)部的評估，臺積電的N3P工藝就可以跟英特爾不相上下，并且N3P采用的是成熟技術，在制造成本上遠勝于英特爾的18A工藝當然等到2025年量產(chǎn)2nm之后，臺積電的2nm工藝仍然是行業(yè)最為先進的工藝。

總之這個口水戰(zhàn)是少不了了，不過現(xiàn)在能夠搞定最先進制程工藝的廠商也沒有幾家，無論怎樣打口水戰(zhàn)，芯片設計廠商還是要讓他們?nèi)ゴぃ鴮τ谟⑻貭杹碚f，IDM 2.0的戰(zhàn)略讓獨立代工的晶圓業(yè)務需要更多的客戶，因此放衛(wèi)星也是在情理之中，好消息就是下一代的Arrow Lake處理器將會采用Intel 20A工藝，屆時消費者就能享受英特爾口中的遙遙領先的制程工藝了。