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三星已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)3nm制程工藝，成為行業(yè)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)3nm制程的廠商，而且相比較5nm制程工藝，3nm制程工藝看起來(lái)更像是更新?lián)Q代的產(chǎn)品，性能平均提升20%，而功耗也將降低35%。預(yù)計(jì)明年大家就可以看到三星全新的3nm制程工藝的產(chǎn)品了，當(dāng)然作為半導(dǎo)體代工行業(yè)數(shù)一數(shù)二的企業(yè)，三星在制程更新上也不會(huì)停下腳步，據(jù)悉在3nm制程之后，三星就將迎來(lái)2nm制程工藝，預(yù)計(jì)在2025年正式量產(chǎn)。

相比較臺(tái)積電的制程工藝，三星的制程似乎從7nm開(kāi)始就日漸落后，尤其是英偉達(dá)以及高通這兩個(gè)大客戶(hù)，采用三星的制程工藝之后，在能效比上并不盡如人意。也遭到了消費(fèi)者的嘲諷，而三星之前表示將會(huì)在3nm制程工藝上采用GAAFET工藝而不是FinFET工藝，從而獲得更加出色的晶體管電氣性能。

相比較3nm制程工藝，三星的2nm制程工藝?yán)^續(xù)采用GAA晶體管，不過(guò)結(jié)構(gòu)得到進(jìn)一步的提升與優(yōu)化，從而讓單位能耗以及性能更加出色。當(dāng)然現(xiàn)在距離2nm制程工藝還有三年多的時(shí)間，變數(shù)還比較大，不過(guò)與三星相比，臺(tái)積電的2nm制程似乎進(jìn)展的不是很順利，相比較3nm制程性能提升大約在10%左右，那么這一次三星便有可能借助2nm工藝實(shí)現(xiàn)對(duì)于臺(tái)積電的反超。