鎧俠發布目前最薄UFS 3.1閃存芯片 封裝厚度僅有1.1mm

鎧俠發布目前最薄UFS 3.1閃存芯片封裝厚度僅有1.1mm

Salunce / 2021-03-04 11:2140273

近日，鎧俠發布了一款全球最薄的1TB UFS 3.1閃存芯片，這款閃存芯片的封裝厚度只有1.1mm，可實現2050 MB/s的順序讀取速度以及1200 MB/s的順序寫入速度。閃存顆粒為BiCS FLASH?3D NAND，并且支持WriteBooster和HPB技術，WriteBooster可有效提高這款閃存芯片的寫入速度，而在引入HPB技術后也提高了它的隨機讀取性能。

HPB技術全稱Host Performance Booster，它能解決手機在使用過程中逐步變卡的問題，長時間使用手機后運行變慢卡頓的原因之一就是由于文件系統碎片化和存儲器隨機讀性能下降所導致。由于存儲器的緩存能力有限，頻繁重載L2P Map表就會造成性能開銷過大。而HPB技術可利用手機的內存來緩存L2P Map表，從而提升了長時間隨機讀取能力的表現。

雖然目前使用鎧俠UFS 3.1閃存的手機還是相對較為少見，比較知名的手機有全球首發高通驍龍870的motorola edge s和三星Galaxy Note 20，不過這款全新推出的閃存芯片應該會有不錯的競爭力，較薄的封裝設計也能進一步減小手機的厚度，預計未來會有更多的智能手機會用上這款閃存芯片。