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根據(jù)外媒報(bào)道，臺積電在2nm工藝方面取得了重大突破，有望在2023年進(jìn)入試生產(chǎn)階段，在2024年進(jìn)行量產(chǎn)。

目前臺積電最先進(jìn)的工藝是首發(fā)于iPad Air 4上的基于5nm工藝的A14芯片，并在今日宣布3nm芯片目標(biāo)，將于2022年下半年單月產(chǎn)能達(dá)5.5萬片，2023年單月提升至10萬片，相較于5nm，3nm在速度方面提升了15%，功耗降低了30%。

值得注意的是，臺積電的2nm工藝采用了多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，這種架構(gòu)能解決3nm和5nm中鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)的一些缺陷，臺積電也是目前全球首家具備2nm工藝的半導(dǎo)體企業(yè)。

有消息稱，臺積電的2nm工藝良品率將在2023年達(dá)到90%，并在2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。臺積電總裁也在此前的臺積電技術(shù)論壇上表示，5nm目前正在加速量產(chǎn)，加強(qiáng)版 5nm 預(yù)計(jì)在2021 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，3nm將在2022 年下半年量產(chǎn)。